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海盜船復(fù)仇者LED DDR4-3466 8GBx4內(nèi)存評(píng)測(cè)

發(fā)布時(shí)間:2016-09-13

前言

我們?cè)贑omputex上看到的海盜船復(fù)仇者新款LED燈條,分為紅光和白光兩款,這段時(shí)間已經(jīng)開始陸續(xù)出貨了,這個(gè)系列的產(chǎn)品跨度非常大,在Computex上看到最高有到4333的頻率,目前出貨的頻率在2666-3466之間。這次我們拿到的是紅色版本的最高頻DDR4-3466的產(chǎn)品,容量為8GBx4套裝。

1. (1)

基本規(guī)格:

內(nèi)存類型:DDR4臺(tái)式機(jī)內(nèi)存

容量:8GBx4=32GB

速度:DDR4-3466 16-18-18-36(PC4-27700)

電壓:1.35v

顆粒:Samsung K4A4G085WE(4Gb E die)

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品外包裝盒是復(fù)仇者系列一貫風(fēng)格,黃黑色調(diào)為主。

1. (2)

背面條碼上印有產(chǎn)品序列號(hào)及型號(hào)。

1. (3)

內(nèi)存為黑色散熱片,和之前的復(fù)仇者一個(gè)風(fēng)格,散熱片用了較細(xì)的磨砂工藝,頂部因?yàn)榧由狭薒ED而相對(duì)老款復(fù)仇者做出些許改動(dòng)。

1. (4)

正面有復(fù)仇者LED的標(biāo)識(shí),紅色燈光版本的LED三個(gè)字是紅的,白色燈光的則是白的。頂部的LED燈光使用白色塑料柔光罩制造均勻的燈光效果,與此同時(shí)也把內(nèi)存最大高度抬高了約1cm,需要注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (5)

背面印有型號(hào)規(guī)格,型號(hào)為CMU32GX4M4C3466C16R,規(guī)格為DDR4-3466 16-18-18-36,電壓1.35v,Ver 4.24可以判斷是三星顆粒。

1. (6)

雙面的顆粒,所以可以判斷顆粒為E Die。但同時(shí)也意味著3466的頻率在Skylake平臺(tái)上已經(jīng)到頂了。

1. (7)

10層PCB的設(shè)計(jì),對(duì)于高頻DDR4來說是必須的。

1. (8)

上機(jī)效果圖:燈光是呼吸的,且不同步,這種燈光從宇帷的DDR3 Core燈條開始,我們已經(jīng)見過很多了。但海盜船在Computex上展示了一個(gè)可調(diào)復(fù)仇者LED燈光的軟件半成品,目前還未發(fā)布。

1. (9)

Samsung K4A4G085WE顆粒簡(jiǎn)評(píng)

三星顆粒編碼的第四第五位表示容量,最后一位表示顆粒的Revision,所以K4A4G085WE顆粒我們稱之為4Gb E Die,單顆容量為512MB。目前DDR4顆粒單顆512MB市場(chǎng)上,三星基本上已經(jīng)沒有D Die了,以E Die為主,吃電壓至2V以上,頻率可以輕松達(dá)到DDR4-4000甚至更高,在2V時(shí)可有4000C12的表現(xiàn);Hynix基本過渡到AFR顆粒,及單顆8Gb的MFR,基本單面日常穩(wěn)定頻率在3466-3600,雙面3333,極限可達(dá)3866以上,時(shí)序表現(xiàn)也不如三星,所以越來越多的高端超頻內(nèi)存逐漸拋棄HY而轉(zhuǎn)向三星;美光新顆粒不斷推出,但在Skylake平臺(tái)上基本沒什么超頻性能,單面的3000左右就到頭,市場(chǎng)上標(biāo)2666及以下的中低端內(nèi)存,多采用美光顆粒。

三星4Gb E Die的特性是給電壓就能收CL值,相比4Gb D Die、8Gb B Die都更容易上高頻,極品體質(zhì)的在空冷下高頻可以達(dá)到DDR4-4300以上,TRFC可保持在300以下。除在上高頻時(shí)TRCD/TRP表現(xiàn)不如8Gb B Die之外,E Die可以說各方面表現(xiàn)都很優(yōu)秀,高頻成功開機(jī)概率也大于B Die,中上體質(zhì)的E Die在1.9-2V電壓下可運(yùn)行DDR4-4000 CL12-20-20。E Die單面4GBx2的模組普遍受到超頻跑分玩家歡迎,即使是插滿四條也能在1.6v或更低電壓下輕松跑DDR4-4000CL15左右日常使用,應(yīng)該是DDR4 512MB最好的顆粒。

然而我們這套內(nèi)存是雙面的顆粒,在Skylake平臺(tái)上最多只能跑到3466的頻率,這套內(nèi)存默頻已經(jīng)達(dá)到3466,相信沒有更多的超頻空間了,只能在時(shí)序優(yōu)化上做文章。

測(cè)試平臺(tái)及XMP信息

測(cè)試平臺(tái):

CPU:Intel Core i7-6700K

主板:ASUS Maximus VIII Extreme

內(nèi)存:Corsair CMU32GX4M4C3466C16R

顯卡:MSI GT730

硬盤:LiteOn T9 PCEVA Edition 800GB

散熱器:Corsair H105

電源:Enermax Revolution 85+ 1050W

CPU-Z及MEM-Z識(shí)別內(nèi)存XMP信息:

1. (10)

加壓至1.75v,在保持3466頻率的基礎(chǔ)上時(shí)序可以優(yōu)化到CL12,發(fā)揮三星E Die的水平。

1. (11)

穩(wěn)定性及發(fā)熱量測(cè)試

在室溫26度裸機(jī)條件下,內(nèi)存電壓1.45v,VSA電壓1.1v、VCCIO電壓1.1v的設(shè)定下,插滿四根內(nèi)存在3466頻率的基礎(chǔ)上可以進(jìn)一步優(yōu)化至C14-17-17-36的時(shí)序,并通過memtest測(cè)試。

1. (12)

用熱成像儀掃描滿載時(shí)內(nèi)存運(yùn)行的溫度,最熱處出現(xiàn)在中間兩條內(nèi)存,為52.2度,內(nèi)存供電為55.4度,均處于正常水平。

1. (13)

效能測(cè)試

我們選取該內(nèi)存的四套設(shè)置:默認(rèn)的DDR4-2133 8GBx4、XMP 3466C16、手動(dòng)優(yōu)化的3466C14和大幅加壓后達(dá)到的3466C12來跑測(cè)試,另外加入三星B Die單、雙面和Hynix 4Gb AFR雙面的一些數(shù)據(jù)對(duì)比。

下圖中,紅框內(nèi)的三組為本次我們?cè)u(píng)測(cè)的這套內(nèi)存的數(shù)據(jù),第二組三星B Die單面3200C14來自G.Skill F4-3200C14D-16GTZ的XMP設(shè)置,第三組HY AFR 3333C15雙面來自Kingston Savage 3000C15超頻后的設(shè)置,第四組雙面三星B Die 3466來自Corsair白金統(tǒng)治者16GBx4取兩條,最后一組則來自Corsair復(fù)仇者LPX DDR4-3866的XMP。

AIDA64內(nèi)存帶寬測(cè)試,默認(rèn)狀態(tài)DDR4-2133下讀寫速度大概在33GB/s,復(fù)制31GB/s,開啟XMP后有了近50%的提升,通過我們手動(dòng)優(yōu)化后進(jìn)一步提升的空間并不大,說明這套內(nèi)存的XMP表現(xiàn)已經(jīng)很好。

1. (14)

內(nèi)存延遲方面,開啟XMP后由58ns下降至45ns,進(jìn)一步優(yōu)化后可以下探到40ns。

1. (15)

3DMark 11物理分,頻率、延遲、rank數(shù)(命中率)都會(huì)對(duì)分?jǐn)?shù)造成影響,雙面內(nèi)存插滿跑該測(cè)試比單面兩根的表現(xiàn)要好很多,開啟XMP后比默認(rèn)提高了10%以上,進(jìn)一步優(yōu)化后還能再提升三百分,甚至超過了3866頻率的表現(xiàn)。

1. (16)

WinRAR內(nèi)存頻寬測(cè)試,同樣插滿四條雙面優(yōu)勢(shì)較大,在3466頻率時(shí)序優(yōu)化后,跑出了超過15000KB/s的速度,這比許多高頻XMP內(nèi)存的表現(xiàn)都要好。

1. (17)

SuperPi 32M測(cè)試,雙面四根內(nèi)存同樣有一定優(yōu)勢(shì),開啟XMP后就直接跑進(jìn)7分以內(nèi),進(jìn)一步優(yōu)化后還有4秒左右的提升。

1. (18)

總結(jié)

海盜船這次推出新的復(fù)仇者LED系列DDR4-3466內(nèi)存,不僅在外觀上有了提升,而且XMP優(yōu)化得也比之前我們測(cè)過的許多內(nèi)存都要好,真正實(shí)現(xiàn)了讓用戶開啟XMP無需多加設(shè)置就可以獲得接近當(dāng)前頻率最高的內(nèi)存性能,考慮到它是一套32GB的內(nèi)存,也可以說是容量和速度都有了。雖然這套內(nèi)存是采用雙面顆粒,在Skylake平臺(tái)上頻率3466就已經(jīng)見頂,但時(shí)序還有進(jìn)一步優(yōu)化的空間,在1.45v電壓下就可以輕松跑到CL14-17-17,TRFC從451大幅收到280,加壓至1.75v跑CL12也可以跑跑測(cè)試玩,發(fā)揮了三星E Die應(yīng)有的水平。

1. (19)

目前這套內(nèi)存在海盜船美國官網(wǎng)報(bào)價(jià)250美元,折合人民幣約1670元。國內(nèi)未見有賣,但京東上有復(fù)仇者LED 3200 8GBx2及3000的16GBx2套裝,其中3200套裝的時(shí)序同樣是16-18-18-36,3000的時(shí)序是15-17-17,價(jià)格分別在799元和1599元,如果只是喜歡這套內(nèi)存的燈光效果,對(duì)性能沒有太高要求,也可以待復(fù)仇者LED產(chǎn)品線逐步上市后,考慮購買最低頻2666的套裝,相信還會(huì)更加便宜。

PCEVA綜合評(píng)價(jià):定位場(chǎng)景娛樂。

基礎(chǔ)性能:4分。這套內(nèi)存已經(jīng)達(dá)到了雙面顆粒在Skylake平臺(tái)能跑的最高頻率DDR4-3466,且XMP優(yōu)化得較好,基本發(fā)揮了該頻率下的最佳效能。

做工用料:5分。全新的復(fù)仇者散熱片采用磨砂工藝提升了質(zhì)感,頂部的燈光效果也很均勻,插滿四根時(shí)效果甚佳。

超頻潛力:2分。由于使用雙面顆粒在Skylake平臺(tái)上無法再繼續(xù)超頻,但顆粒還是有潛力的,只能期待Intel在后續(xù)的平臺(tái)上改進(jìn)。與此同時(shí),時(shí)序可以從C16收到C14,加壓后甚至可以達(dá)到C12,發(fā)揮了三星E die的特性。

發(fā)熱量:4分。加壓到1.45V、插滿四條下滿載運(yùn)行時(shí)溫度在52度,雖然超出了我們?cè)O(shè)定的50度扣分的標(biāo)準(zhǔn),但依然處于不錯(cuò)的表現(xiàn)水平。

兼容性:4分。內(nèi)存散熱片高于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存,在使用最靠近CPU的內(nèi)存插槽時(shí)需注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (20)

前言

我們?cè)贑omputex上看到的海盜船復(fù)仇者新款LED燈條,分為紅光和白光兩款,這段時(shí)間已經(jīng)開始陸續(xù)出貨了,這個(gè)系列的產(chǎn)品跨度非常大,在Computex上看到最高有到4333的頻率,目前出貨的頻率在2666-3466之間。這次我們拿到的是紅色版本的最高頻DDR4-3466的產(chǎn)品,容量為8GBx4套裝。

1. (1)

基本規(guī)格:

內(nèi)存類型:DDR4臺(tái)式機(jī)內(nèi)存

容量:8GBx4=32GB

速度:DDR4-3466 16-18-18-36(PC4-27700)

電壓:1.35v

顆粒:Samsung K4A4G085WE(4Gb E die)

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品外包裝盒是復(fù)仇者系列一貫風(fēng)格,黃黑色調(diào)為主。

1. (2)

背面條碼上印有產(chǎn)品序列號(hào)及型號(hào)。

1. (3)

內(nèi)存為黑色散熱片,和之前的復(fù)仇者一個(gè)風(fēng)格,散熱片用了較細(xì)的磨砂工藝,頂部因?yàn)榧由狭薒ED而相對(duì)老款復(fù)仇者做出些許改動(dòng)。

1. (4)

正面有復(fù)仇者LED的標(biāo)識(shí),紅色燈光版本的LED三個(gè)字是紅的,白色燈光的則是白的。頂部的LED燈光使用白色塑料柔光罩制造均勻的燈光效果,與此同時(shí)也把內(nèi)存最大高度抬高了約1cm,需要注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

1. (5)

背面印有型號(hào)規(guī)格,型號(hào)為CMU32GX4M4C3466C16R,規(guī)格為DDR4-3466 16-18-18-36,電壓1.35v,Ver 4.24可以判斷是三星顆粒。

1. (6)

雙面的顆粒,所以可以判斷顆粒為E Die。但同時(shí)也意味著3466的頻率在Skylake平臺(tái)上已經(jīng)到頂了。

1. (7)

10層PCB的設(shè)計(jì),對(duì)于高頻DDR4來說是必須的。

1. (8)

上機(jī)效果圖:燈光是呼吸的,且不同步,這種燈光從宇帷的DDR3 Core燈條開始,我們已經(jīng)見過很多了。但海盜船在Computex上展示了一個(gè)可調(diào)復(fù)仇者LED燈光的軟件半成品,目前還未發(fā)布。

1. (9)

Samsung K4A4G085WE顆粒簡(jiǎn)評(píng)

三星顆粒編碼的第四第五位表示容量,最后一位表示顆粒的Revision,所以K4A4G085WE顆粒我們稱之為4Gb E Die,單顆容量為512MB。目前DDR4顆粒單顆512MB市場(chǎng)上,三星基本上已經(jīng)沒有D Die了,以E Die為主,吃電壓至2V以上,頻率可以輕松達(dá)到DDR4-4000甚至更高,在2V時(shí)可有4000C12的表現(xiàn);Hynix基本過渡到AFR顆粒,及單顆8Gb的MFR,基本單面日常穩(wěn)定頻率在3466-3600,雙面3333,極限可達(dá)3866以上,時(shí)序表現(xiàn)也不如三星,所以越來越多的高端超頻內(nèi)存逐漸拋棄HY而轉(zhuǎn)向三星;美光新顆粒不斷推出,但在Skylake平臺(tái)上基本沒什么超頻性能,單面的3000左右就到頭,市場(chǎng)上標(biāo)2666及以下的中低端內(nèi)存,多采用美光顆粒。

三星4Gb E Die的特性是給電壓就能收CL值,相比4Gb D Die、8Gb B Die都更容易上高頻,極品體質(zhì)的在空冷下高頻可以達(dá)到DDR4-4300以上,TRFC可保持在300以下。除在上高頻時(shí)TRCD/TRP表現(xiàn)不如8Gb B Die之外,E Die可以說各方面表現(xiàn)都很優(yōu)秀,高頻成功開機(jī)概率也大于B Die,中上體質(zhì)的E Die在1.9-2V電壓下可運(yùn)行DDR4-4000 CL12-20-20。E Die單面4GBx2的模組普遍受到超頻跑分玩家歡迎,即使是插滿四條也能在1.6v或更低電壓下輕松跑DDR4-4000CL15左右日常使用,應(yīng)該是DDR4 512MB最好的顆粒。

然而我們這套內(nèi)存是雙面的顆粒,在Skylake平臺(tái)上最多只能跑到3466的頻率,這套內(nèi)存默頻已經(jīng)達(dá)到3466,相信沒有更多的超頻空間了,只能在時(shí)序優(yōu)化上做文章。

測(cè)試平臺(tái)及XMP信息

測(cè)試平臺(tái):

CPU:Intel Core i7-6700K

主板:ASUS Maximus VIII Extreme

內(nèi)存:Corsair CMU32GX4M4C3466C16R

顯卡:MSI GT730

硬盤:LiteOn T9 PCEVA Edition 800GB

散熱器:Corsair H105

電源:Enermax Revolution 85+ 1050W

CPU-Z及MEM-Z識(shí)別內(nèi)存XMP信息:

1. (10)

加壓至1.75v,在保持3466頻率的基礎(chǔ)上時(shí)序可以優(yōu)化到CL12,發(fā)揮三星E Die的水平。

1. (11)

穩(wěn)定性及發(fā)熱量測(cè)試

在室溫26度裸機(jī)條件下,內(nèi)存電壓1.45v,VSA電壓1.1v、VCCIO電壓1.1v的設(shè)定下,插滿四根內(nèi)存在3466頻率的基礎(chǔ)上可以進(jìn)一步優(yōu)化至C14-17-17-36的時(shí)序,并通過memtest測(cè)試。

1. (12)

用熱成像儀掃描滿載時(shí)內(nèi)存運(yùn)行的溫度,最熱處出現(xiàn)在中間兩條內(nèi)存,為52.2度,內(nèi)存供電為55.4度,均處于正常水平。

1. (13)

效能測(cè)試

我們選取該內(nèi)存的四套設(shè)置:默認(rèn)的DDR4-2133 8GBx4、XMP 3466C16、手動(dòng)優(yōu)化的3466C14和大幅加壓后達(dá)到的3466C12來跑測(cè)試,另外加入三星B Die單、雙面和Hynix 4Gb AFR雙面的一些數(shù)據(jù)對(duì)比。

下圖中,紅框內(nèi)的三組為本次我們?cè)u(píng)測(cè)的這套內(nèi)存的數(shù)據(jù),第二組三星B Die單面3200C14來自G.Skill F4-3200C14D-16GTZ的XMP設(shè)置,第三組HY AFR 3333C15雙面來自Kingston Savage 3000C15超頻后的設(shè)置,第四組雙面三星B Die 3466來自Corsair白金統(tǒng)治者16GBx4取兩條,最后一組則來自Corsair復(fù)仇者LPX DDR4-3866的XMP。

AIDA64內(nèi)存帶寬測(cè)試,默認(rèn)狀態(tài)DDR4-2133下讀寫速度大概在33GB/s,復(fù)制31GB/s,開啟XMP后有了近50%的提升,通過我們手動(dòng)優(yōu)化后進(jìn)一步提升的空間并不大,說明這套內(nèi)存的XMP表現(xiàn)已經(jīng)很好。

1. (14)

內(nèi)存延遲方面,開啟XMP后由58ns下降至45ns,進(jìn)一步優(yōu)化后可以下探到40ns。

1. (15)

3DMark 11物理分,頻率、延遲、rank數(shù)(命中率)都會(huì)對(duì)分?jǐn)?shù)造成影響,雙面內(nèi)存插滿跑該測(cè)試比單面兩根的表現(xiàn)要好很多,開啟XMP后比默認(rèn)提高了10%以上,進(jìn)一步優(yōu)化后還能再提升三百分,甚至超過了3866頻率的表現(xiàn)。

1. (16)

WinRAR內(nèi)存頻寬測(cè)試,同樣插滿四條雙面優(yōu)勢(shì)較大,在3466頻率時(shí)序優(yōu)化后,跑出了超過15000KB/s的速度,這比許多高頻XMP內(nèi)存的表現(xiàn)都要好。

1. (17)

SuperPi 32M測(cè)試,雙面四根內(nèi)存同樣有一定優(yōu)勢(shì),開啟XMP后就直接跑進(jìn)7分以內(nèi),進(jìn)一步優(yōu)化后還有4秒左右的提升。

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總結(jié)

海盜船這次推出新的復(fù)仇者LED系列DDR4-3466內(nèi)存,不僅在外觀上有了提升,而且XMP優(yōu)化得也比之前我們測(cè)過的許多內(nèi)存都要好,真正實(shí)現(xiàn)了讓用戶開啟XMP無需多加設(shè)置就可以獲得接近當(dāng)前頻率最高的內(nèi)存性能,考慮到它是一套32GB的內(nèi)存,也可以說是容量和速度都有了。雖然這套內(nèi)存是采用雙面顆粒,在Skylake平臺(tái)上頻率3466就已經(jīng)見頂,但時(shí)序還有進(jìn)一步優(yōu)化的空間,在1.45v電壓下就可以輕松跑到CL14-17-17,TRFC從451大幅收到280,加壓至1.75v跑CL12也可以跑跑測(cè)試玩,發(fā)揮了三星E Die應(yīng)有的水平。

1. (19)

目前這套內(nèi)存在海盜船美國官網(wǎng)報(bào)價(jià)250美元,折合人民幣約1670元。國內(nèi)未見有賣,但京東上有復(fù)仇者LED 3200 8GBx2及3000的16GBx2套裝,其中3200套裝的時(shí)序同樣是16-18-18-36,3000的時(shí)序是15-17-17,價(jià)格分別在799元和1599元,如果只是喜歡這套內(nèi)存的燈光效果,對(duì)性能沒有太高要求,也可以待復(fù)仇者LED產(chǎn)品線逐步上市后,考慮購買最低頻2666的套裝,相信還會(huì)更加便宜。

PCEVA綜合評(píng)價(jià):定位場(chǎng)景娛樂。

基礎(chǔ)性能:4分。這套內(nèi)存已經(jīng)達(dá)到了雙面顆粒在Skylake平臺(tái)能跑的最高頻率DDR4-3466,且XMP優(yōu)化得較好,基本發(fā)揮了該頻率下的最佳效能。

做工用料:5分。全新的復(fù)仇者散熱片采用磨砂工藝提升了質(zhì)感,頂部的燈光效果也很均勻,插滿四根時(shí)效果甚佳。

超頻潛力:2分。由于使用雙面顆粒在Skylake平臺(tái)上無法再繼續(xù)超頻,但顆粒還是有潛力的,只能期待Intel在后續(xù)的平臺(tái)上改進(jìn)。與此同時(shí),時(shí)序可以從C16收到C14,加壓后甚至可以達(dá)到C12,發(fā)揮了三星E die的特性。

發(fā)熱量:4分。加壓到1.45V、插滿四條下滿載運(yùn)行時(shí)溫度在52度,雖然超出了我們?cè)O(shè)定的50度扣分的標(biāo)準(zhǔn),但依然處于不錯(cuò)的表現(xiàn)水平。

兼容性:4分。內(nèi)存散熱片高于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存,在使用最靠近CPU的內(nèi)存插槽時(shí)需注意與某些14cm大型塔式散熱器的兼容性。

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